光電変換素子及びその製造方法

Abstract

素子は、単結晶半導体から製造される。その半導体は、n型半導体である。製造する素子は、第1表層に結晶構造の層を持ち、その層から変異層、中間層、バルク結晶基板により構成される。第1表層の結晶層の凹みの方向は、素子の表層郡の中で規則的に並んでいる。変異層または中間層には、真性半導体に相当する層が含まれる。また、単結晶半導体の表面に上記の第1表層を形成するが、基板のバルクは変化しないように熱処理する素子製造方法を提供する。この素子は、光電変換特性を有している。 【選択図】図1

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